контакт металл-полупроводник. барьер мотта и шоттки |
|
| Номер | #8900 |
| Тип | Курсовая работа |
| Бюджет | Не указан |
| Категория | Микроэлектроника |
| Уникальность | Не указана |
| Детали |
объем 25-30 страниц Введение 1 Общие положения 1.1 История вопроса 1.1.1 Классическая модель Шоттки 1.1.2 Модель Мотта 1.1.3 Модель Бардина – Хейне 1.2 Зонные диаграммы контакта «металл – полупроводник». Механизм образования барьера 2 Эффект шоттки 3 Механизмы токопрохождения в выпрямляющем контакте «металл – полупроводник» 3.1 Теория термоэлектронной эмиссии 3.2 Диффузионная теория 3.3 Термоэмиссионно-диффузионная теория 3.4 Теория полевой и термополевой эмиссии 4. Электрофизические характеристики идеального выпрямляющего контакта «металл – полупроводник» 4.1 Вольт – амперная характеристика 4.2 Полное сопротивление и эквивалентная схема контакта 4.3 Частотные свойства контакта 4.4 Емкостные свойства контакта 5. Современные модели реальных контактов «металл – полупроводник» Заключение Список используемых источников |
| Мне нужна похожая работа | |
Нужна похожая работа?
Оставьте бесплатную заявку на оценку Вашей работы и начните получать предложения от Авторов прямо сейчас!
Оставить заявку
Похожие курсовые работы
Нужна похожая или такая же работа?
Добавьте Ваше задание и начните получать предложения от Авторов прямо сейчас!